고방열 및 고전압 특성의 AlN 반도체에피기술을 기반한 고효율 GaN전력소자용 에피웨이퍼 선두주자
. 자체 제작 MOCVD장치로써 UWBG(Ultra Wide Band-Gap) 물질인 AlN반도체를, 에피 성장(Epitaxial Growth) 하여, AlN-based GaN 에피웨이퍼를 사업화하고, 전략물자를 국산화함과 동시에 글로벌 Supply-Chain상의 '공급자' 되고자 함.
.GaN소자는 민수용 통신용(5G,6G)및 군수용 레이다의 대체불가 소자로 자리매김. 또, 가전/산업용 전력제어 소자로도 사용되기 시작. 엘앤디전자는 GaN반도체 에피성장기술 및 고방열, 고전압 특성을 갖는 AlN반도체 에피성장 기술을 보유. 이에, 엘앤디전자의 AlN에피기술을 GaN전력소자용에 접목하여 기술선진국의 GaN전력소자보다 우수한 성능의 전력소자를 구현하고자 함.이는 해외 선발국과의 기술격차를 단숨에 뛰어넘는 결과로 귀결될 수 있음,
.2020년 6월 , 비메모리반도체 전문의 다년간 경력자들로 구성하여 창업
-.팁스 예비창업팀
-. 2022년 소부장스타트업100 선정